Equation-based modeling of electrothermal behavior of a SiC MOSFET chip during a short circuit - Université de Pau et des Pays de l'Adour
Communication Dans Un Congrès Année : 2020

Equation-based modeling of electrothermal behavior of a SiC MOSFET chip during a short circuit

Domaines

Energie électrique Electronique Génie des procédés

Antoine SILVESTRE de FERRON  : Connectez-vous pour contacter le contributeur

https://univ-pau.hal.science/hal-03025998

Soumis le : jeudi 26 novembre 2020-15:01:40

Dernière modification le : mercredi 15 novembre 2023-18:59:51

Fichier non déposé

Dates et versions

hal-03025998 , version 1 (26-11-2020)

Identifiants

  • HAL Id : hal-03025998 , version 1

Citer

Yannick Dumollard, Emmanuel Batista, Jean-Marc Dienot, Laurent Pecastaing. Equation-based modeling of electrothermal behavior of a SiC MOSFET chip during a short circuit. IEEE Latin American Electron Devices Conference, 2020, San Jose, Costa Rica. ⟨hal-03025998⟩

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